复合式金属氧化物半导体电容以及锁相环

摘要

一种复合式MOS电容以及使用该种复合式MOS电容的锁相环。在该锁相环中，回路滤波器所使用的复合式MOS电容属于高电压组件，压控振荡器属于低电压组件。该种复合式MOS电容中包括一HV PMOS电容以及一HV NMOS电容。该HV PMOS电容的基极耦接一低电压源的电源端。该HV NMOS电容的基极耦接该低电压源的地端。该HV PMOS电容的栅极与该HV NMOS电容的栅极连接在一起，以接收一控制电压。该复合式MOS电容的电容值为定值并且不随该控制电压改变。

主权项

一种复合式金属氧化物半导体电容，其中包括：一高电压P型金属氧化物半导体电容，该高电压P型金属氧化物半导体电容的基极耦接一低电压偏压源的电源端；以及一高电压N型金属氧化物半导体电容，该高电压N型金属氧化物半导体电容的基极耦接该低电压偏压源的地端；其中，低电压偏压源的电压值与该高电压P型金属氧化物半导体电容的临界电压值的差值近似于该高电压N型金属氧化物半导体电容的临界电压值，该高电压P型金属氧化物半导体电容的栅极与该高电压N型金属氧化物半导体电容的栅极连接在一起，用以接收一控制电压。