晶圆背面研磨方法

摘要

一种晶圆背面研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；计算研磨厚度，所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。本发明晶圆背面研磨方法可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄，同时却不会增加晶圆的破损率。

主权项

一种晶圆背面研磨方法，其特征在于，包括下述步骤：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，其中，若预定的晶圆厚度小于研磨装置研磨贴附一层保护胶带的晶圆所能达到的晶圆厚度，则不改变保护胶带的厚度而增加保护胶带的层数来增加贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度，以使贴附于所述晶圆的正面的保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差，所述预定的晶圆厚度是指晶圆最终需要薄化到的厚度；计算研磨厚度，所述研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。