| 发明名称 | 互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种互连结构及其形成方法，其中互连结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露所述第一金属层的接触孔开口；在接触孔开口暴露的所述第一金属层内形成倒锥状开口；在所述介质层表面形成填充所述倒锥状开口和接触孔开口的第二金属层。本发明能够改善现有技术中第二金属层与第一金属层为平面接触所导致的电学接触性能低下的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN102054755A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198577.7 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王琪;周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种互连结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露所述第一金属层的接触孔开口；在接触孔开口暴露的所述第一金属层内形成倒锥状开口；在所述介质层表面形成填充所述倒锥状开口和接触孔开口的第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||