| 发明名称 | 铜互连结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种铜互连结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内有开口，在所述介质层表面和开口内形成有阻挡层和铜籽晶层；使用第一电流进行电镀工艺；使用第二电流进行除镀工艺；重复所述电镀工艺和除镀工艺至少1次；使用第三电流进行填充电镀，至填满所述开口。本发明通过多步电镀工艺和除镀工艺，消除了所述开口拐角处的凸起，避免或减少了空隙缺陷的形成，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102054759A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198591.7 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内有开口，在所述介质层表面和开口内形成有阻挡层和铜籽晶层；使用第一电流进行电镀工艺；使用第二电流进行除镀工艺；重复所述电镀工艺和除镀工艺至少1次；使用第三电流进行填充电镀，至填满所述开口。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||