| 发明名称 | 原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种光电材料技术领域的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明制备得到的透明导电薄膜均匀性优异；导电性好，电阻率可低至7.2×10-4cm；可见光透过率高，可达90％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102051594A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201110030298.7 | 申请日期 | 2011.01.28 |
| 申请人 | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 发明人 | 宋佳;姜来新;牟海川;尹桂林;余震;何丹农 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 一种原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征在于，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||