| 发明名称 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。在半导体器件的制造方法中，该方法包括不生长缓冲层而在衬底上直接生长(形成器件结构的)氮化物类III-V族化合物半导体层的步骤，该衬底由具有六方晶体结构的材料制成和并具有主面，该主面被定向为关于C轴方向偏离R-面不小于-0.5°且不大于0°的角度。 | ||
| 申请公布号 | CN102054671A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010516976.6 | 申请日期 | 2010.10.19 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大前晓;德田耕太;有持祐之;铃木伸洋;盐见治典;日野智公;簗岛克典 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，所述方法包括步骤：在衬底上直接生长形成器件结构的氮化物类III‑V族化合物半导体层而不生长缓冲层，所述衬底由具有六方晶体结构的材料制成，并具有被定向为关于C轴方向偏离R面不小于‑0.5°且不大于0°的角度的主面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||