经硅化物化的内嵌硅

摘要

本发明提供用于使内嵌硅完全硅化物化的方法和结构。将硅(52)提供在沟槽(50)内。在硅(52)上提供金属混合物(55)，其中所述金属中的一者在硅中比硅在所述金属中更容易扩散，且所述金属中的另一者在硅中不如硅在所述金属中容易扩散。示范性混合物包含80％的镍和20％的钴。尽管所述沟槽(50)的纵横比相对较高，但允许沟槽(50)内的硅(52)完全成为硅化物(56)，而不形成空隙。除其它装置以外，可通过所述方法形成用于存储器阵列(10)的内嵌存取装置(RAD)。

主权项

一种在集成电路中形成金属硅化物结构的方法，所述方法包括：在部分制成的集成电路内提供凹座；将硅沉积到所述凹座中；将金属混合物沉积在所述凹座上且使其与所述硅接触，所述金属混合物包括至少两种金属，所述至少两种金属的一者扩散到硅中比硅扩散到其中更为容易，所述至少两种金属的另一者扩散到硅中比硅扩散到其中更不容易；以及使所述金属混合物与所述硅在所述凹座中反应，以在所述凹座内形成金属硅化物，其中所述金属混合物包括70到80at.％的镍和10到30at.％的钴，且其中所述凹座具有大于2∶1的纵横比。