一种形成半导体器件金属线的方法

摘要

一种形成半导体器件金属线的方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；通过除去光刻胶图案暴露介电膜；通过蚀刻所述暴露的介电膜形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在包括镶嵌图案的整个结构上形成金属材料，并且该抛光金属材料，由此形成金属线。

主权项

一种形成半导体器件的金属线的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；形成第一光刻胶图案和与所述第一光刻胶图案相邻的第二光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案各自不连接并且在不连接的部分处沿相反的方向向外延伸；在所述第一和第二光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；除去所述第一和第二光刻胶图案；利用所述间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻所述介电膜以形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在除去所述间隔物之后的整个结构上形成金属材料；和抛光所述金属材料以暴露出所述介电膜，由此形成金属线。