发明名称 |
在以纳米线为基础的电子装置中用于栅极构造和改进触点的方法、系统和设备 |
摘要 |
本发明描述了用于具有改进的栅极结构的电子装置的方法、系统和设备。电子装置包括至少一根纳米线。栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分定位。电介质材料层在栅极触点与所述至少一根纳米线之间。源极触点和漏极触点与所述至少一根纳米线接触。源极触点和/或漏极触点的至少一部分沿纳米线长度与栅极触点重叠。在另一方面,电子装置包括具有由绝缘壳层围绕的半导体芯部的纳米线。环形第一栅极区沿纳米线的长度的一部分围绕纳米线。第二栅极区沿纳米线的长度定位在纳米线与衬底之间。源极触点和漏极触点连接到在半导体芯部的各个露出部分处的纳米线的半导体芯部。 |
申请公布号 |
CN101401210B |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN200580043138.9 |
申请日期 |
2005.10.14 |
申请人 |
纳米系统公司 |
发明人 |
沙哈拉·莫斯特拉谢;陈建;弗朗西斯科·莱昂;潘尧令;L·T·罗马诺 |
分类号 |
H01L29/775(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/775(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
申振发 |
主权项 |
一种电子装置,包括:具有芯部的至少一根纳米线;栅极触点,所述栅极触点仅沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分的单侧被定位;电介质材料层,所述电介质材料层位于所述栅极触点与所述至少一根纳米线之间,其中所述电介质材料层是围绕所述至少一根纳米线的所述芯部形成的壳层;源极触点,所述源极触点仅在所述至少一根纳米线的与所述栅极触点相对的单侧上与所述至少一根纳米线的所述芯部接触;漏极触点,所述漏极触点仅在所述至少一根纳米线的与所述栅极触点相对的所述单侧上与所述至少一根纳米线的所述芯部接触;且其中所述源极触点和所述漏极触点中的至少一个的至少一部分与所述至少一根纳米线的所述长度的所述部分重叠。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |