单端单位延迟元件

摘要

目前，应用在DLL电路或其他类似电路中的单端单位延迟元件存在抗噪音能力弱且版图尺寸过大的缺点，使得整个电路的抗噪音能力弱且版图面积比较大。本发明采用PMOS电容代替了现有技术中所使用的NMOS电容，提高了单端单位延迟元件的抗噪音能力并减小了其版图面积，从而可以改善应用该部件的DLL电路或其他类似电路的性能。

主权项

一种可以减小版图面积并提高抗噪音能力的单端单位延迟元件，包括反相器和电容，其特征在于，所述的电容是PMOS，且反相器的输出端连接在PMOS的栅极上，而PMOS的源极、漏极均连接在控制电压上，所述的PMOS在N阱中制作，且该N阱形成在P型衬底中或该N阱形成在基于N型衬底的P阱中。