| 发明名称 | 基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上方，所述漂移区层和界面岛型埋层的导电类型相同，半导体有源层的导电类型与界面岛型埋层或漂移区层的导电类型相反。将本发明采用的结构应用于高压功率器件或功率集成电路中，其耐压比常规的采用自隔离技术的SOI器件的耐压大大提高，且该工艺和标准CMOS工艺完全兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101477993B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910058145.6 | 申请日期 | 2009.01.15 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 罗小蓉;张伟;詹瞻;邓浩;高唤梅;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 冉鹏程 |
| 主权项 | 一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层(1)，介质埋层(2)和半导体有源层(3)，在所述半导体有源层(3)上部设置有漂移区层(12)，其特征在于：在所述半导体有源层(3)的下部设置有至少一个界面岛型埋层(13)，所述界面岛型埋层(13)位于介质埋层(2)上方，所述漂移区层(12)和界面岛型埋层(13)的导电类型相同，半导体有源层(3)的导电类型与界面岛型埋层(13)或漂移区层(12)的导电类型相反。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||