一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法

摘要

本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。

主权项

一种MEMS微型磁场传感器，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成磁场传感器器件扭转间隙；所述的金属反馈电极位于磁场传感器器件的基底及支撑体上，磁性敏感薄膜、双端固置式扭转微镜和金属反馈镜面构成磁场传感器的微扭转敏感结构；通过调节架，利用光学封装树脂，实现微扭转敏感结构与双光纤准直器的封接。