超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体组件

摘要

本发明提供一种超平坦化学机械抛光技术(Super Flat Chemical Mechanical Polishing(SF-CMP))之方法，其主要是一种在半导体之制作过程中用以取代激光剥离(laser lift-o ff)之方法。SF-CMP主要步骤是在想要抛光的表面上，先植入复数个抛光停止点后再进行抛光。其特征在于该等抛光停止点的材料之硬度大于该表面的材料之硬度。此方法可以在不需移除抛光停止点的情形下获得超平坦的抛光表面。

主权项

一种制造半导体发光装置之方法，该方法包含以下步骤：(a)提供具有磊晶之复数个相连之孤立凸型平台；(b)覆盖一层介质；(c)形成抛光停止点于复数个相连之孤立凸型平台间之沟槽；(d)形成一第一电极层于已形成抛光停止点之该等相连之孤立凸型平台上；(e)压焊一电导性载体层于该第一电极层上；(f)移除该等相连之孤立凸型平台之底部所形成之一基板；(g)形成复数个第二电极于暴露出表面之磊晶上；以及(h)切割具有该等第二电极之磊晶。