后绕线布局的光刻热点的更正方法及装置

摘要

本发明涉及一种后绕线布局的光刻热点的更正方法与装置，是用于更正后绕线布局中检测到的光刻热点。选择各热点所在局部区域内的可改变尺寸或位置的至少一个二维图案并调整，而使得各该局部区域的空间图像强度的仿真数值最佳化，藉以改善各热点所造成的问题。该空间图像强度的仿真数值是由一组光学仿真模型单元计算而得，又该模型单元是根据若干个基本二维图型的空间图像强度的分布数值而决定。

主权项

一种后绕线布局的光刻热点的更正方法，其特征在于包含：接受一芯片的后绕线布局的光刻检查而得到若干个热点的数据；针对该若干热点中的每一个所在的局部区域内选取可改变几何尺寸或位置的至少一个二维图案，并定义该几何尺寸或位置的改变方式为若干个变化模式；根据该若干变化模式中每一个于允许范围内的改变量，得到对应的空间图像强度值；依照该空间图像强度的前述若干个空间图像强度值以决定该若干变化模式中每一个对应该热点的最佳变化量；以及就该若干热点中每一个所在该局部区域的该二维图案分别取得一组最佳变化模式及各该最佳变化模式的最佳变化量。