| 发明名称 | 用于测试半导体装置的电路和方法 | ||
| 摘要 | 一种用于测试半导体装置的电路，包括：配置用于响应于测试模式信号、将测试电压施加到穿透硅通孔(TSV)的第一端的测试电压施加单元，以及配置为连接到所述TSV的第二端并检测从所述TSV的第二端输出的电流的检测单元。 | ||
| 申请公布号 | CN102053207A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010001107.X | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔珉硕;李锺天;边相镇;丘泳埈 |
| 分类号 | G01R31/02(2006.01)I;G01R19/165(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种用于测试半导体装置的电路，包括：测试电压施加单元，配置用于响应于测试模式信号将测试电压施加到穿透硅通孔TSV的第一端；以及检测单元，配置为连接到所述TSV的第二端，并且检测从所述TSV的第二端输出的电流。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||