| 发明名称 | 含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法 | ||
| 摘要 | 提供含磷掺杂剂、在半导体材料中形成磷掺杂区域的方法以及制备含磷掺杂剂的方法。在一个实施方案中，含磷掺杂剂包含磷源，该磷源包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源自碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。 | ||
| 申请公布号 | CN102057466A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200980121738.0 | 申请日期 | 2009.08.18 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | 黄红敏;C·高;Z·丁;A·彭;刘亚群 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曹小刚;林毅斌 |
| 主权项 | 含磷掺杂剂，包含：磷源，其包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源于碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||