互补金属氧化物半导体结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体结构的制作方法，其中在对具有张应力的氮化硅层进行刻蚀时，分三次进行，第一次刻蚀和第三次刻蚀主要进行纵向刻蚀，第二次刻蚀主要进行横向刻蚀。应用本发明所述的方法，不但能够降低出现过刻蚀问题的可能性，而且能够提高刻蚀后的硬掩膜氧化层的均匀性。

主权项

一种互补金属氧化物半导体结构的制作方法，该方法包括：在硅片的半导体衬底上形成具有N型金属氧化物半导体NMOS结构的第一区域和具有P型金属氧化物半导体PMOS结构的第二区域；在硅片表面依次沉积具有张应力的氮化硅层和硬掩膜氧化层，并在第一区域上的硬掩膜氧化层表面形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层的保护下，刻蚀掉第二区域上的硬掩膜氧化层，并在刻蚀完成后去除第一光刻胶层；在第一区域上的硬掩膜氧化层的保护下，分三次刻蚀掉第二区域上的具有张应力的氮化硅层；其中，通过将每次刻蚀过程中的偏置电压设置为预定取值，控制第一次刻蚀和第三次刻蚀主要进行纵向刻蚀，第二次刻蚀主要进行横向刻蚀；在硅片表面沉积具有压应力的氮化硅层，并在第二区域上的具有压应力的氮化硅层表面形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层的保护下，刻蚀掉第一区域上的具有压应力的氮化硅层，并在刻蚀完成后去除第二光刻胶层。