| 发明名称 | 三步功率沉积铝的半导体填孔方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体的制造方法，一种半导体填孔方法，包括如下步骤：采用第一功率沉积第一层铝；采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝；采用第三功率在所述第二层铝上沉积金属连线。实验表明，采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝，克服了传统的工艺中铝填孔能力不足，显著地提高了半导体制造中，模塑料层沉积铝的能力，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102054742A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910110494.8 | 申请日期 | 2009.11.05 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 孟昭生;平延磊 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种半导体填孔方法，其特征在于：包括如下步骤：采用第一功率沉积第一层铝；采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝；采用第三功率在所述第二层铝上沉积金属连线。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||