发明名称 |
垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片 |
摘要 |
本实用新型涉及一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片。包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有外延片,所述外延片两侧设有钝化保护层;所述的外延片自下向上依次为:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。提高了出光效率、实现电流均匀分布,降低热阻,有效改善散热性能。 |
申请公布号 |
CN201829523U |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN201020531596.5 |
申请日期 |
2010.09.16 |
申请人 |
兰红波 |
发明人 |
兰红波;丁玉成 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
济南圣达知识产权代理有限公司 37221 |
代理人 |
张勇 |
主权项 |
一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB LED芯片,其特征在于,包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有外延片,所述外延片两侧设有钝化保护层;所述的外延片自下向上依次为:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。 |
地址 |
250022 山东省济南市槐荫区经十路464号9号楼2单元503 |