发明名称 垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片
摘要 本实用新型涉及一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB-LED芯片。包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有外延片,所述外延片两侧设有钝化保护层;所述的外延片自下向上依次为:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。提高了出光效率、实现电流均匀分布,降低热阻,有效改善散热性能。
申请公布号 CN201829523U 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN201020531596.5 申请日期 2010.09.16
申请人 兰红波 发明人 兰红波;丁玉成
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I 主分类号 H01L33/06(2010.01)I
代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人 张勇
主权项 一种垂直结构金属衬底准光子晶体HB LED芯片,其特征在于,包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有外延片,所述外延片两侧设有钝化保护层;所述的外延片自下向上依次为:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、电流阻挡层、具有准光子晶体结构的透明导电层和N型电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。
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