| 发明名称 | P-沟道功率MIS场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。 | ||
| 申请公布号 | CN101567389B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910141534.5 | 申请日期 | 2004.05.24 |
| 申请人 | 大见忠弘;矢崎总业株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一;渡边高训 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种P‑沟道功率MIS场效应晶体管，所述P‑沟道功率MIS场效应晶体管包含具有其表面是(551)平面、(311)平面、(221)平面、(553)平面、(335)平面、(112)平面、(113)平面、(115)平面、(117)平面、(331)平面、(221)平面、(332)平面、(111)平面和(320)平面中的任一个平面的硅区域的衬底、形成在该表面上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，并且其中所述硅区域至少被用作沟道，该P‑沟道功率MIS场效应晶体管的特征在于：所述栅极绝缘膜至少和所述硅区域表面接触的接触部分含有氩、氪或氙，并且P‑沟道MIS场效应晶体管的源极‑至‑栅极击穿电压不小于10V，所述栅极绝缘膜中氩、氪或氙的含量在所述栅极绝缘膜和所述栅极电极接触的界面中为最大值，并且向着所述栅极绝缘膜和所述硅区域表面接触的界面减小。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||