| 发明名称 | 一种制造半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 虽然嵌入的硅锗合金和硅碳合金提供许多有用的应用，尤其是通过应力工程增强MOSFET的迁移率，但是在这些表面上形成合金硅化物会使器件性能劣化。本发明提供的结构与方法在半导体衬底上的此类硅合金表面上提供未合金硅化物。这使得能够为相同半导体衬底上的具有嵌入的SiGe的迁移率增加的PFET和具有嵌入的Si:C的迁移率增强的NFET形成低电阻接触。此外，本发明提供用于高于栅极电介质层的厚外延硅合金，尤其是厚外延Si:C合金，的方法以增加晶体管器件的沟道上的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN101573795B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200780049185.3 | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 刘耀诚;D·奇丹巴尔拉奥;K·里姆;O·格卢斯陈克夫;R·T·莫;J·R·霍尔特 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 一种制造半导体结构的方法，包括：提供具有PFET区域(301)和NFET区域(401)的半导体衬底；用掩模(175)掩蔽所述PFET区域；在所述NFET区域中的源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金(261’)；通过选择性沉积硅材料在所述PFET区域和所述NFET区域中生长硅层(170，270)，其中所述硅层不含碳和锗；在所述硅层上沉积金属(80)；以及用所述金属与所述硅层反应，以形成接触材料(186，286)，其中在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中形成嵌入的硅碳合金的所述步骤还包括：将碳注入到所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中；以及通过固相外延在所述NFET区域中的所述源极和漏极区域中重新生长硅碳合金。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||