| 发明名称 | 硅基液晶器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造硅基液晶(Liquid Crystal On Silicon，LCOS)器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层；在所述元件层上形成层间介质层；图形化所述层间介质层，在层间介质层上形成多个凹陷；在所述凹陷内形成衬里；在所述衬里上形成金属层；平坦化所述金属层；在所述金属层上形成保护层。所述方法简化了制造过程。 | ||
| 申请公布号 | CN102053431A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198582.8 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄河;李卫民 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种制造硅基液晶器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层；在所述元件层上形成层间介质层；图形化所述层间介质层，在层间介质层上形成多个凹陷；在所述凹陷内形成衬里；在所述衬里上形成金属层；平坦化所述金属层；在所述金属层上形成保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||