发明名称 |
用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法,包括以下步骤:步骤一,通过聚焦粒子束电子显微镜穿孔到接地端,用聚焦粒子束电子显微镜镀金属层将梳状线的一端实现接地;步骤二,将梳状线进行n次等分,每次等分作一次电压衬度检查,而每一次电压衬度都可以将缺陷定位到原区域的二分之一范围内,n次等分后,缺陷会定位在二的n次方分之一的面积范围内,n为正整数;步骤三,在定位出的微小面积内,用扫描电子显微镜进行高加速电压扫描,可观察到被绝缘膜埋住的缺陷。本发明定位速度快,效率高,解决了半导体生产线中有些金属生长刻蚀相关工艺的缺陷找不到的问题,能大量节省人力和扫描电镜的使用机时。 |
申请公布号 |
CN102053098A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN200910201762.7 |
申请日期 |
2009.11.05 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
赖华平 |
分类号 |
G01N23/22(2006.01)I;G01Q80/00(2010.01)I |
主分类号 |
G01N23/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
孙大为 |
主权项 |
一种用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一,通过聚焦粒子束电子显微镜穿孔到接地端,用聚焦粒子束电子显微镜镀金属层将梳状线的一端实现接地;步骤二,将梳状线进行n次等分,每次等分作一次电压衬度检查,而每一次电压衬度都可以将缺陷定位到原区域的二分之一范围内,n次等分后,缺陷会定位在二的n次方分之一的面积范围内,n为正整数;步骤三,在定位出的微小面积内,用扫描电子显微镜进行高加速电压扫描,可观察到被绝缘膜埋住的缺陷。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |