发明名称 |
像素结构的制作方法及接触窗开口的制作方法 |
摘要 |
一种像素结构的制作方法。首先,在基板上形成闸极。继之,在基板上形成闸绝缘层以覆盖闸极。然后,在闸极上方形成源极与汲极。接着,在汲极上形成疏水图案。再来,在基板上形成保护层以覆盖源极与汲极,疏水图案排开保护层,而在汲极上方的保护层中形成接触窗开口。之后,固化保护层且同时移除疏水图案。然后,在保护层上形成像素电极,此像素电极填入接触窗开口而与汲极电性连接。本发明可以简化制程以及降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN102054768A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN200910110388.X |
申请日期 |
2009.10.29 |
申请人 |
深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
郑荣安;谢汉萍;江美昭;莫启能;吴上智 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种像素结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在一基板上形成一闸极;在所述基板上形成一闸绝缘层以覆盖所述闸极;在所述闸极上方的所述闸绝缘层上形成一通道层;在所述通道层的两侧形成一源极与一汲极;在所述汲极上形成一疏水图案;在所述基板上形成一保护层以覆盖所述源极与所述汲极,所述疏水图案排开所述保护层,而在所述汲极上方的所述保护层中形成一接触窗开口;固化所述保护层且同时移除所述疏水图案;以及在所述保护层上形成一像素电极,所述像素电极填入所述接触窗开口而与所述汲极电性连接。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区光明高新技术产业园区塘明大道9号 |