| 发明名称 | 提高晶圆沟道填充能力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种提高晶圆沟道填充能力的方法，所述晶圆上形成有一沟道，该方法包括下列步骤：步骤S100：以第一沉积速率进行基于臭氧-四乙氧基硅烷化学组分的高深宽比制程技术沉积第一氧化硅薄膜层于所述沟道中；步骤S200：以第一基板直流偏压功率进行高密度电浆化学气相沉积以便对所述第一氧化硅薄膜层进行蚀刻；重复依次进行步骤S100和步骤S200，直至蚀刻完毕后第一氧化硅薄膜层的厚度达到2000埃，完成晶圆沟道填充。本发明提出的提高晶圆沟道填充能力的方法，其能够有效满足新工艺中较高深宽比的工艺要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102054734A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198567.3 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李景伦 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种提高晶圆沟道填充能力的方法，所述晶圆上形成有一沟道，其特征在于，该方法包括下列步骤：步骤S100：以第一沉积速率进行基于臭氧‑四乙氧基硅烷化学组分的高深宽比制程技术沉积第一氧化硅薄膜层于所述沟道中；步骤S200：以第一基板直流偏压功率进行高密度电浆化学气相沉积以便对所述第一氧化硅薄膜层进行蚀刻；重复依次进行步骤S100和步骤S200，直至蚀刻完毕后第一氧化硅薄膜层的厚度达到2000埃，完成晶圆沟道填充。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||