等离子体处理装置

摘要

本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：至少一部分由电介质窗构成的能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；向所述处理容器内供给所希望的处理气体的处理气体供给部，用于对所述基板实施所希望的等离子体处理；设置在所述电介质窗外的RF天线，用于在所述处理容器内通过电感耦合生成处理气体的等离子体；和向所述RF天线供给频率适合于所述处理气体的高频放电的高频电力的高频供电部，其中所述RF天线具有在线圈周方向上存在间隙宽度较小的切口的单绕或复绕的线圈导体，所述线圈导体的隔着所述切口而相对的一对线圈端部分别与来自所述高频供电部的一对高频供电线连接。