| 发明名称 | 使用单晶荧光体的LED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于从晶圆制备LED芯片的方法以及使用所述方法制备的器件，其中一个方法包括在LED生长晶圆上沉积LED外延层以在所述生长晶圆上形成多个LED。在所述多个LED中的至少一些上面键合单晶荧光体，使得来自被覆盖的LED的至少一些光通过所述单晶荧光体并且被转换。然后可以从所述晶圆分割出所述LED芯片以提供每个都具有一部分所述单晶荧光体用于转换LED光的LED芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102057511A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200980122430.8 | 申请日期 | 2009.04.07 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | A·查克拉博尔蒂 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李湘;高为 |
| 主权项 | 一种用于从晶圆制备发光二极管(LED)芯片的方法，所述方法包括：在LED生长晶圆上沉积LED外延层以在所述生长晶圆上形成多个LED；以及在至少一些所述多个LED上面键合单晶荧光体，使得来自所述LED中的被覆盖的那些LED的至少一些光通过所述单晶荧光体并且被转换。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||