| 发明名称 | 形成源漏极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成源漏极的方法，该方法在衬底表面形成栅氧化层和多晶硅栅极之后，在栅氧化层以及多晶硅栅极表面依次生长再氧化物和氮化硅Si3N4层；然后，刻蚀衬底表面的Si3N4层；以多晶硅栅极为掩膜，将掺杂物注入衬底中。本发明方案减少了源漏极形成过程中对掺杂物的损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102054696A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198094.7 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种形成源漏极的方法，该方法包括：在衬底表面形成栅氧化层和多晶硅栅极之后，在栅氧化层以及多晶硅栅极表面依次生长再氧化物和氮化硅Si3N4层；刻蚀再氧化物表面的Si3N4层；以多晶硅栅极为掩膜，将掺杂物注入衬底Si中。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||