发明名称 |
半导体装置、其制造方法以及电子设备 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备,所述半导体装置具有:第一半导体部,在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,在其一侧包括第二布线层,第一半导体部和第二半导体部被固定到一起,使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;导电材料,其穿过第一半导体部延伸到第二半导体部的第二布线层,且第一布线层和第二布线层通过所述导电材料电连通;以及穿过第一半导体部而延伸到第二布线层的开口,该开口不同于用于导电材料的开口。 |
申请公布号 |
CN102054849A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN201010516265.9 |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
高桥洋;梅林拓 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
褚海英;王维玉 |
主权项 |
一种半导体装置,其包括:第一半导体部,该第一半导体部在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,该第二半导体部在其一侧包括第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起,使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对;导电材料,其穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层,且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通;以及延伸穿过所述第一半导体部并使所述第二布线层暴露的开口,该开口不同于用于所述导电材料的开口。 |
地址 |
日本东京 |