壳熔法多晶硅提纯装置及其方法

摘要

本发明公开一种采用壳熔技术提纯多晶硅的装置，包括有水冷真空炉膛、环形排列水冷铜管、带升降装置的水冷底盘，等离子体喷枪和加料器，及超高频感应加热线圈。本发明还公开一种太阳能级多晶硅的制造方法，其步骤包括形成固态硅质熔壳坩埚，并在熔壳坩埚中对硅原料进行超高频、超高温的真空熔炼及等离子体气氛精炼，和定向凝固。

主权项

一种提纯多晶硅的装置，其特征在于，该装置包括：水冷真空炉膛[1]，感应等离子体喷枪[2]和加料装置[3]，保护气体的进气口[5]，水冷真空炉膛[1]内安装有环状排列水冷铜管[6]、水冷底盘[7]及感应加热线圈[10]，水冷底盘[7]与升降系统[16]相连，水冷真空炉膛与真空机组[15]相连。