形成集成电路结构的方法

摘要

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供半导体基板；提供第一、第二、及第三微影掩模；形成第一掩模层于该半导体基板上；借由该第一掩模层对该半导体基板进行第一蚀刻以定义出有源区域；形成第二掩模层于该半导体基板及该有源区域上；形成第三掩模层于该第二掩模层之上，其中该第三掩模层的图案利用该第三微影掩模所定义出，且所述多个掩模带部分被该第三掩模层的开口所暴露出，而所述多个掩模带的末端部分被该第三掩模层所遮蔽；以及，借由该第三掩模层的开口对该半导体基板进行第二蚀刻。本发明的鳍片及鳍式场效晶体管的源极/漏极接触焊盘同时形成，因此可增加产品的工艺速率及产量，并可降低工艺成本。

主权项

一种形成集成电路结构的方法，包含：提供一半导体基板；提供一第一微影掩模、一第二微影掩模、及一第三微影掩模；形成一第一掩模层于该半导体基板上，其中该第一掩模层的一图案利用该第一微影掩模所定义出；借由该第一掩模层对该半导体基板进行一第一蚀刻以定义出一有源区域；形成一第二掩模层于该半导体基板及该有源区域上，其中该第二掩模层的一图案利用该第二微影掩模所定义出，且该第二掩模层包含多个彼此平行的掩模带；形成一第三掩模层于该第二掩模层之上，其中该第三掩模层的一图案利用该第三微影掩模所定义出，且所述多个掩模带一中央部分被一该第三掩模层的一开口所暴露出，而所述多个掩模带的末端部分被该第三掩模层所遮蔽；以及借由该第三掩模层的开口对该半导体基板进行一第二蚀刻。