发明名称 半导体芯片栅格阵列封装及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体芯片栅格阵列封装及其制造方法。半导体芯片栅格阵列封装包括管芯附接焊盘和多个连接器焊盘。半导体管芯安装在该管芯附接焊盘上,该半导体管芯具有分别电连接到连接器焊盘的外部连接端子。密封材料密封该管芯和连接器焊盘。柱头从每个连接器焊盘凸起,以提供用于半导体芯片栅格阵列封装的外部电接触。连接器焊盘和各柱头中的每一个由导电片材形成。连接器焊盘的厚度至少是该导电片材厚度的60%,并且各柱头的厚度不多于该导电片材厚度的40%。
申请公布号 CN102054717A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN200910212100.X 申请日期 2009.11.10
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 白志刚;陈伟民;王志杰
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 屠长存
主权项 一种用于制造半导体芯片栅格阵列封装的方法,包括:提供导电片材,所述导电片材在一侧具有面向芯片的表面,而在另一侧具有面向外部的表面;在所述导电片材的面向芯片的表面上蚀刻沟道,从而以管芯附接焊盘和多个连接器焊盘的形式定义栅格阵列焊盘,其中所述沟道被蚀刻的深度是所述导电片材厚度的至少60%;将半导体管芯安装到所述管芯附接焊盘上;将所述连接器焊盘电连接到所述管芯上的各外部连接端子;将所述管芯、沟道和连接器焊盘密封在密封材料中;以及蚀刻所述导电片材的面向外部的表面以将所述栅格阵列焊盘相互电隔离,其中蚀刻面向外部的表面的特征在于去除介于相邻的栅格阵列焊盘之间的所述导电片材的区域,并且其中蚀刻面向外部的表面形成从每个所述连接器焊盘凸起的柱头。
地址 美国得克萨斯