| 发明名称 | 发光二极管的制作方法及发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，其制作方法包括：首先，提供一半导体结构，此半导体结构具有蓝宝石基材与半导体发光层。半导体发光层的第一面接触并覆盖于蓝宝石基材上。接着，将前述半导体结构固定于支撑物上。之后，将半导体结构中的蓝宝石基材去除。接着，将高导热薄膜形成于前述半导体发光层的第一面上。最后再将支撑物移除。 | ||
| 申请公布号 | CN102054906A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910211892.9 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 唐慈淯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包含：提供一半导体结构，该半导体结构具有一蓝宝石基材与一半导体发光层，该半导体发光层的一第一面接触并覆盖于该蓝宝石基材上；固定该半导体结构于一支撑物上；去除该蓝宝石基材；形成一高导热薄膜于该半导体发光层的该第一面上；以及移除该支撑物。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号 | ||