发光二极管及其生长方法

摘要

一种发光二极管，包括N型半导体层、P型半导体层和夹在两者之间的发光层，所述发光二极管还包括光激发层，所述光激发层由掺杂有稀土元素的III-V族化合物半导体材料构成。本发明进一步提供了一种生长上述发光二极管的方法。本发明的优点在于，采用掺杂有稀土元素的半导体材料作为光激发层代替现有的荧光粉，并且光激发层的厚度大于10微米，以保证激发光的强度足以匹配发光层辐射光的强度，避免混合后的白光发生色偏。光激发层在长时间工作的情况下也不会出现衰减现象。

主权项

一种发光二极管，包括N型半导体层、P型半导体层和夹在两者之间的发光层，以及由掺杂有稀土元素的III‑V族化合物半导体材料构成的光激发层，其特征在于，光激发层的厚度大于10微米，光激发层用于吸收一部分发光层发出的光并激发出其他颜色的光，与发光层发出的未被吸收的光混合在一起，形成白光，所述发光二极管进一步包括第一电极与第二电极，上述两个电极位于发光二极管两个相对的表面，并且第一电极与光激发层相邻设置。