| 发明名称 | 降低半导体外延内记忆效应的方法 | ||
| 摘要 | 提供在外延生长工艺过程中降低记忆效应的方法，其中使用含氢气和含卤素的气体的气体混合物在生长步骤之间冲刷CVD反应腔室。 | ||
| 申请公布号 | CN102057078A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200980120374.4 | 申请日期 | 2009.05.29 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | M·罗伯达 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张钦 |
| 主权项 | 一种降低在半导体材料的外延生长过程中的记忆效应的方法，该方法包括：提供反应腔室；提供半导体基底；提供一种或多种前体气体；在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第一层；用包含氢气和含卤素的气体的气体混合物冲刷所述反应腔室；和在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第二层。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||