使用导体或半导体材料纳米线的塞贝克/帕尔帖双向热电转换装置

摘要

本发明涉及塞贝克/帕尔帖双向热电转换装置、特别是使用通过一般平面工艺在衬底上限定的导体或半导体材料纳米线的装置。

主权项

一种在衬底上实施的使用纳米线的塞贝克/帕尔帖双向热电转换装置，该装置包含：至少一个之间相互间隔的并行纳米线的阵列，并且其截面具有低于40纳米的至少线性尺寸或直径，从它们形成于其上的所述衬底区域的平面上升；具有低热导率电介质材料层，其填充所述阵列的纳米线之间的间隔空间，具有的比纳米线高度大的厚度；在所述阵列的相对侧上所述纳米线的端部的电连接金属化部，以将之间并行的纳米线组互连，并且将纳米线的整个串行‑并行网格体连接到外部电路；与在一侧上和在相对侧上的所述阵列的纳米线的端部重合的表面，从而构成了该转换装置的具有不同温度的表面。