用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法

摘要

用于制造具有不同掺杂浓度的区域(70、72；120、122)的半导体元件(74；140)特别是太阳能电池(140)的方法，包括：在半导体元件材料(50；100)表面(56；106)上形成(2；14)阻挡一种掺杂物的扩散并在至少一个部分可被一种掺杂物渗透的层(58；108)；在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内至少部分地除去扩散阻挡层(58；108)；在扩散阻挡层(58；108)上和在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内形成掺杂物源(66；116)；将来自掺杂物源(66；116)的掺杂物扩散(8；20)到半导体元件材料(50；100)中。本发明还涉及该半导体元件(74；140)在集成电路、电路、太阳能电池模块以及具有选择性发射极结构的太阳能电池(140)方面的应用。

主权项

一种用于制造具有不同掺杂浓度的区域(70，72；120，122)的半导体元件(74；140)的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体元件材料(50；100)的表面的至少一个部分(56；106)上形成(2；14)扩散阻挡层(58；108)，该层(58；108)阻挡一种掺杂物的扩散并可被所述掺杂物渗透；在至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内至少部分地除去(4；16a、16b)所述扩散阻挡层(58；108)；在所述扩散阻挡层(58；108)上和所述至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内形成(6；18)一个掺杂物源(66；116)；使来自所述掺杂物源(66；116)的所述掺杂物扩散(8；20)到所述半导体元件材料(50；100)中，形成所述具有不同掺杂浓度的区域(70，72；120，122)，其特征在于：所述扩散阻挡层(108)为多孔层(108)，所述多孔层(108)的厚度小于200nm。