| 摘要 |
Способ отжига кристаллов фторидов металлов группы IIА, заключающийся в том, что выращенный и первично отожженный кристалл подвергают вторичному отжигу, отличающийся тем, что вторичный отжиг проводят путем помещения кристалла в графитовую форму, внутренний объем которой превышает размеры кристалла по диаметру и высоте, и в образованное пространство между внутренней поверхностью графитовой формы и поверхностью кристалла засыпают предварительно подготовленную крошку из материала такого же кристалла, графитовую форму помещают в установку для автономного отжига, которую вакуумируют до давления не более 5·10-6 мм рт.ст., после чего вводят в ее рабочее пространство газ CF4 до образования давления в 600-780 мм рт.ст., затем установку для автономного отжига разогревают поэтапно, регулируя повышение температуры в диапазоне от комнатной до 600°С предпочтительно со скоростью 10-20°С/ч, в диапазоне от 600 до 900°С предпочтительно со скоростью 5-15°С/ч, в диапазоне от 900 до 1200°С предпочтительно со скоростью 15-30°С/ч, а затем со скоростью 30-40°С/ч доводят до максимальной температуры отжига в зависимости от вида конкретного кристалла фторида металла, которую выбирают на 50-300°С ниже температуры плавления материала для выращивания конкретного кристалла, после чего проводят выдержку от 15 до 30 ч и медленное охлаждение до 100°С, для чего производят поэтапное регулирование снижения температуры, а затем инерционно охлаждают до комнатной температуры. |
