| 摘要 |
1. Способ улучшения режима излучения кремний-эрбиевых светодиодных структур, представляющий собой обеспечение условий увеличения интенсивности электролюминесценции структур Si:Er/Si на основе рекомбинационного механизма возбуждения ионов Er3+ в указанных структурах, отличающийся тем, что упомянутое возбуждение ионов Er3+ в Si:Er слое осуществляют путем периодической подачи импульса прямого смещения, величиной равного характерному напряжению работы светодиодной структуры в прямом смещении и длительностью ! , ! где - время Оже-девозбуждения ионов Er3+ в Si:Er слоях свободными носителями; ! Cn - коэффициент Оже-девозбуждения ионов Er3+ электронами; ! n - концентрация электронов в активной области Si:Er; ! и следующего за указанным импульсом прямого смещения импульса обратного смещения, величиной составляющего не больше напряжения пробоя светодиодной структуры и длительностью порядка излучательного времени ионов Er3+ в Si:Er слоях. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для увеличения интенсивности электролюминесценции структуры Si:Er/Si, выращенной методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, возбуждение ионов Er3+ осуществляют в Si:Er слое толщиной ~1 мкм с концентрацией Er и О в активном слое Si:Er, составляющей соответственно 3·1018 см-3 и 2·1019 см-3, путем периодической подачи с частотой ~500 Гц на кремний-эрбиевую светодиодную структуру импульса прямого смещения напряжением ~5 В и длительностью ~250 мкс и следующего за ним импульса обратного смещения напряжением ~ -16 В и длительностью ~2 мс. |
