DISPOSITIF DE MEMOIRE DU TYPE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE ET EFFACABLE, A DEUX CELLULES PAR BIT

摘要

Le dispositif de mémoire comprend au moins un point mémoire (PTM) du type non volatile électriquement programmable et effaçable comportant deux cellules mémoire (CEL1, CEL2) respectivement connectées à deux lignes de bits (BL+, BL-) par l'intermédiaire de deux transistors de sélection de lignes de bits. La borne commune (SI) entre le transistor de sélection de ligne de bit (TSBL1) et le transistor à grille flottante (TGF1) de chaque cellule-mémoire (CEL1) du point-mémoire est connectée à la grille de commande (CG2) du transistor à grille flottante (TGF2) de l'autre cellule-mémoire (CEL2) du point-mémoire .