DUAL GATE SINGLE ELECTRON TRANSISTOR HAVING RECESSED CHANNEL AND MATHOD FOR FABRICATING THE SAME,申请号KR20080043908-传众专利搜索

发明名称	DUAL GATE SINGLE ELECTRON TRANSISTOR HAVING RECESSED CHANNEL AND MATHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	KR101032770(B1)	申请公布日期	2011.05.06
申请号	KR20080043908	申请日期	2008.05.13
申请人		发明人
分类号	H01L29/775;H01L21/336	主分类号	H01L29/775
代理机构		代理人
主权项
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