MEASURING METHOD FOR OPTICALLY QUANTIFYING ANTI-PHASE DOMAINS IN SITU AND USE OF THE MEASURING METHOD

摘要

Bei der hetero-epitaktischen Abscheidung polarer Halbleiterfilme auf nichtpolare Substrate führt die Ausbildung von Anti-Phasen-Domänen (APD) zu kristallinen Defekten, deren Konzentration die technologische Nutzung der Schichtsysteme in der Mikro- und Opto-Elektronik negativ beeinflusst. Eine optische in-situ Charakterisierung der APD-Konzentration während der Präparation erlaubt eine regelnde Qualitätskontrolle. Das bekannte in-situ-Messverfahren zur APD-Anteilsermittlung basiert auf der Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie für eine hetero-epitaktische Abscheidung mit APD als Probe und ohne APDs als Referenz und Verhältnisrechnung der beiden gemessenen orthogonal polarisierten Reflexionen an Probe und Referenz. Zur Vermeidung einer aufwändigen ex-situ-Verifizierung der Referenz und zur Verbesserung der Genauigkeit des Messverfahrens sieht die Erfindung aufgrund der genauen Festlegung von Präparations- und Messbedingungen einen Vergleich zu einer homo-epitaktisch aufgewachsenen Referenz mit gleichartiger Oberflächenrekonstruktion vor sowie eine Korrektur der auftretenden Interferenzen aufgrund von zumindest isotropen Reflexionen an der Grenzfläche zwischen dem polaren Halbleiterfilm und dem nicht-polaren Substrat. In den darauf folgenden Korrekturschritten sind auch weitere Ursprünge von Anisotropien wie anisotrope Reflexionen korrigierbar.