Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls

摘要

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einem Leistungshalbleiterchip (8), der auf einer Metallisierungsschicht (22) eines Isolationsträgers (20) angeordnet ist. An die dem Schaltungsträger (2) abgewandte Seite des Leistungshalbleiterchips (8) ist an einer Verbindungsstelle (8c) ein Anschlussleiter (85) gebondet. Eine Vergussmasse (5) erstreckt sich vom Schaltungsträger (2) zumindest bis über die dem Schaltungsträger (2) abgewandte Seite (2) des Leistungshalbleiterchips (8) und überdeckt diese vollständig. Außerdem umschließt sie den Anschlussleiter (85) zumindest im Bereich der Verbindungsstelle (8c). Die Vergussmasse weist nach DIN ISO 2137 bei einer Temperatur von 25°C eine Penetration von kleiner oder gleich 30 auf. Beim Betrieb des Leistungshalbleitermoduls wird der Leistungshalbleiterchip (8) für eine Dauer von wenigstens 20 Sekunden bei einer Sperrschichttemperatur von nicht weniger als 150°C betrieben.