Verfahren zur Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben mit Schichtstrukturen zur Integration von III-V Halbleiterbauelementen

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben mit Schichtstrukturen von III-V-Schichten zur Integration von III-V-Halbleiterbauelementen beschrieben, bei dem SOI-Silizium-Halbleiterscheiben mit unterschiedlicher Substratorientierung eingesetzt werden und die III-V-Halbleiterschichten in durch Ätzen erzeugten Gruben innerhalb von bestimmten elektrisch voneinander isolierten Bereichen der aktiven Halbleiterschicht mittels Abdeckschichten unter Einsatz von MOCVD-Verfahren erzeugt werden.