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发明名称 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR MOSFET-BAUELEMENTE MIT DOPPELTEM UND DREIFACHEM GATE
摘要
申请公布号 DE60336492(D1) 申请公布日期 2011.05.05
申请号 DE20036036492 申请日期 2003.10.14
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 LIN, MING-REN;AN, JUDY XILIN;KRIVOKAPIC, ZORAN;TABERY, CYRUS E.;WANG, HAIHONG;YU, BIN
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
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