Herstellung von Halbleiterwiderständen in einem Halbleiterbauelement mit Metallgatestrukturen durch Erhöhen der Ätzwiderstandsfähigkeit der Widerstände

摘要

In einem Austauschgateverfahren wird das Polysiliziummaterial während eines nasschemischen Ätzprozesses effizient entfernt, während das Halbleitermaterial in den Widerstandsstrukturen im Wesentlichen beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird eine Substanzsorte, etwa Xenon, in das Halbleitermaterial der Widerstandsstruktur eingebaut, wodurch dem Halbleitermaterial ein deutlich erhöhter Ätzwiderstand verliehen wird. Das Xenon kann in einer beliebigen geeigneten Fertigungsphase eingebaut werden.