| 摘要 |
Es wird hier ein Verfahren zur Bildung eines integrierten Schaltungs-(IS)-Gehäuses offenbart, das Folgendes umfasst: (a) Entfernen von Oxiden von Seitenflächen von Anschlüssen des IS-Gehäuses; (b) im Wesentlichen Abdecken einer Unterseite der Anschlüsse des IS-Gehäuses; und (c) Bilden eines Lotüberzugs auf den Seitenflächen von Anschlüssen der IS-Gehäuse, während die Unterseite der Anschlüsse des IS-Gehäuses abgedeckt wird. Der Lotüberzug auf den Seitenflächen der Anschlüsse schützt die Anschlüsse vor Oxidation in Folge von Alterung und nachfolgenden Prozessen. Außerdem verbessert der Lotüberzug auf den Seitenflächen der Anschlüsse beträchtlich die Lötbarkeit des IS-Gehäuses auf Leiterplatten (PCBs) oder anderen Trägern. Dadurch wird auch die Prüfung der Lötbefestigung unter Verwendung von weniger teuren und komplizierten Verfahren ermöglicht. |
