Stärkere Haftung eines PECVD-Kohlenstoffs auf dielektrischen Materialien durch Vorsehen einer Haftungsgrenzfläche

摘要

Ein amorphes Kohlenstoffmaterial wird mit besserer Haftung auf dielektrische Materialien, etwa auf TEOS-basierte Siliziumoxidmaterialien in komplexen Halbleiterbauelementen abgeschieden, indem eine Plasmabehandlung, etwa eine Argon-Behandlung, angewendet wird und/oder indem eine dünne Haftschicht auf der Grundlage von Siliziumdioxid, kohlenstoffdotiertem Siliziumoxid, vor dem Abscheiden des Kohlenstoffmaterials gebildet wird. Somit kann das Hartmaskenkonzept auf der Grundlage von amorphen Kohlenstoff mit höherer Flexibilität angewendet werden, da eine bessere Haftung einen höheren Grad an Flexibilität bei der Auswahl geeigneter Abscheideparameter für das Kohlenstoffmaterial ermöglicht.