Verformungstechnologie in dreidimensionalen Transistoren auf der Grundlage global verformter Halbleiterbasisschichten

摘要

Nicht-planare Transistoren, etwa FINFETs, werden auf der Grundlage eines global verformten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch eine hohe uniaxiale Verformungskomponente in den resultierenden Halbleiterstegen beibehalten wird. Auf diese Weise kann eine deutliche Leistungssteigerung erreicht werden, ohne dass eine größere Prozesskomplexität beim Einrichten der FINFET-Transistoren entsteht.