| 发明名称 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于晶硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺。该发明采用先氧化后扩散的方法，提高太阳能电池发射极的方阻均匀性，其工序包括，氧化层的制备，发射极的制备，磷硅玻璃去除。此工艺提高了发射极扩散的均匀性，减少了发射极的间隙缺陷，提高了短波段光子的利用率，改善了晶体硅太阳能电池的电性能，并且易于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102044594A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN201010550848.3 | 申请日期 | 2010.11.19 |
| 申请人 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 发明人 | 程亮;刘鹏;姜言森;李玉花;徐振华;张春燕;任现坤;王兆光;杨青天 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人 | 宋玉霞 |
| 主权项 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺，其特征在于硅片在扩散前先进行氧化，扩散过程包含以下工艺步骤：氧化层的制备，发射极的制备，磷硅玻璃去除。 | ||
| 地址 | 250103 山东省济南市经十东路30766号力诺科技园力诺太阳能电力股份有限公司 | ||